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電子ビーム描画装置 [ELS-F125]

メーカー

エリオニクス

型番

ELS-F125

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

〇

導入年

2014

仕様

加速電圧:125kV
電流値:100pA~5nA
つなぎ精度:20nm以下
重ね合わせ精度:25nm以下
最大試料サイズ:6インチΦ

電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]

メーカー

エリオニクス

型番

ELS-BODEN100

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

〇

導入年

2022

仕様

加速電圧:100kV
電流値:100pA~20nA
つなぎ精度:30nm以下
重ね合わせ精度:35nm以下
最大試料サイズ:8インチΦ

水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]

メーカー

サムコ

型番

AQ-500

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2021

仕様

高周波出力:50-250W
反応ガス:H2O,O2
最大試料サイズ:8インチΦ

水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]

メーカー

サムコ

型番

AQ-500

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2023

仕様

高周波出力:50-250W
反応ガス:H2O,O2
最大試料サイズ:8インチΦ

UVオゾンクリーナー [UV-1]

メーカー

サムコ

型番

UV-1

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2007

仕様

光源:UVランプ (253.7nm及び184.9nm, 110W出力)
オゾン発生器:無声放電方式
ステージ温度:室温～300度
最大試料サイズ:8インチΦ

スパッタ装置 [JSP-8000]

メーカー

アルバック

型番

JSP-8000

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

〇

導入年

2007

仕様

電源:DC x 2, RF x 1
電源出力:500W
ターゲット:4インチΦ×4式
プロセスガス:Ar，O2，N2
最大試料サイズ:6インチΦ
基板加熱:最高300℃（設定値）

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #1]

メーカー

芝浦メカトロニクス

型番

CFS-4EP-LL

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

〇

導入年

2007

仕様

電源:DC x 2, RF x 1
電源出力:500W
カソード:3インチΦ×4式
プロセスガス:Ar、O2、N2
最大試料サイズ:6インチΦ
基板加熱:最高300℃（設定値）

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]

メーカー

芝浦メカトロニクス

型番

CFS-4EP-LL

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

〇

導入年

2011

仕様

電源:DC×2、RF×1
電源出力:500W
カソード:3インチΦ×4式
プロセスガス:Ar、O2、N2
最大試料サイズ:6インチΦ
基板加熱:最高300℃（設定値）

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]

メーカー

芝浦メカトロニクス

型番

CFS-4EP-LL

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

〇

導入年

2019

仕様

電源:DC x １, RF x ２
電源出力:500W
カソード:3インチΦ×4式
プロセスガス:Ar，O2，N2
最大試料サイズ:8インチΦ
基板加熱:なし（水冷式）

電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]

メーカー

アールデック

型番

RDEB-1206K

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2008

仕様

加速電圧:10kV
最大エミッション:500mA
T-S間距離:500mm
到達真空度:10-5 Pa
最大試料サイズ:6インチΦ
材料:Ti, Au, Pd, Cu, Ag, Cr, SiO2, MgO, 他

電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]

メーカー

アールデック

型番

ADS-E86

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

〇

導入年

2021

仕様

加速電圧:6kV
最大エミッション:500mA
T-S間距離:500mm
到達真空度:10-5 Pa
最大試料サイズ:8インチΦ
材料:Ti, Au-Ge, Al, Ni, Au, Pt

電子銃型蒸着装置 [MB-501010]

メーカー

エイコー

型番

MB-501010

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2019

仕様

加速電圧:10kV
最大エミッション:500mA
T-S間距離:700mm
到達真空度:10-5 Pa
最大試料サイズ:6インチΦ
材料:Ag, Pd, Au, Pt, Al, Ti, Cr, Ni, 他

電子銃型蒸着装置 [UEP-3000BS]

メーカー

アルバック

型番

UEP-3000BS

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2006

仕様

加速電圧:10kV
最大エミッション:500mA
T-S間距離:500-700mm（可変）
到達真空度:10-5 Pa
最大試料サイズ:3インチΦ
材料:Al,Ti,Pt,Cr,Ag,Au,Fe,Ni,Pd,Cu

原子層堆積装置 [SUNALE R-150]

メーカー

ピコサン

型番

SUNALE R-150

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

〇

導入年

2011

仕様

成膜方式:サーマルまたはプラズマ
原料:TMA(Al2O3), TDMAT(TiO2), TDMAS(SiO2), TDMAHf(HfO2), ZrCp(ZrO2)
最大試料サイズ:6インチΦ
基板温度:室温～300℃（設定）

原子層堆積装置 [AD-230LP]

メーカー

サムコ

型番

AD-230LP

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

〇

導入年

2021

仕様

成膜方式:サーマルまたはプラズマ
原料:TMA(Al2O3, AlN), TDMAT(TiO2, TiN), BDEAS,(SiO2, SiN)
最大試料サイズ:8インチΦ
基板温度:室温～500℃（設定）

SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]

メーカー

サムコ

型番

PD-220NL

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2022

仕様

成膜方式:2周波プラズマCVD
原料:TEOS (SiO2)
最大試料サイズ:8インチΦ
基板温度:100℃以下～400℃

SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]

メーカー

サムコ

型番

PD-220NL

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2007

仕様

成膜方式:プラズマCVD
原料:SN-2 (SiN)
最大試料サイズ:8インチΦ
基板温度:200℃（標準）

リフトオフ装置 [KLO-150CBU]

メーカー

カナメックス

型番

KLO-150CBU

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2016

仕様

レジスト膨潤:80℃ NMP溶液
レジスト剥離:高圧ジェットNMP溶液
リンス:IPA, 純水
乾燥:スピン乾燥、N2ブロー
最大試料サイズ:6インチΦ

CCP-RIE装置 [RIE-200NL]

メーカー

サムコ

型番

RIE-200NL

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2007

仕様

プラズマ励起方式:平行平板型
電源出力:300W
プロセスガス:CHF3，CF4，SF6，Ar，O2，N2
試料ステージ温度:室温
最大試料サイズ:8インチΦ

ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]

メーカー

サムコ

型番

RIE-101iPH

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2007

仕様

プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大1kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:Cl2，BCl3，Ar，O2，N2
試料ステージ温度:-20℃～室温
最大試料サイズ:4インチΦ

ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]

メーカー

住友精密工業

型番

RV-APS-SE

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2012

仕様

プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大3kW
バイアス出力:最大1kW
プロセスガス:CHF3，CF4，C4F8，SF6，Ar，O2，He
試料ステージ温度:-10～+40℃
最大試料サイズ:6インチΦ
その他:終点検出器あり

ICP-RIE装置 [CE300I]

メーカー

アルバック

型番

CE300I

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2004

仕様

プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:1kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:Ar, O2, SF6, Cl2, BCl3, CF4, CHF3
試料ステージ温度:室温
最大試料サイズ:6インチΦ

シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]

メーカー

住友精密工業

型番

ASE-SRE

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2008

仕様

プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大1kW
バイアス出力:最大100W
プロセスガス:SF6，C4F8，Ar，O2
試料ステージ温度:室温
最大試料サイズ:6インチΦ
その他:ボッシュプロセス対応

原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]

メーカー

オックスフォード・インスツルメンツ

型番

PlasmaPro 100 ALE

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2020

仕様

プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大3kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:Cl2，BCl3，SF6，Ar，N2，O2
試料ステージ温度:-30～+80℃
最大試料サイズ:6インチΦ
その他:終点検出器あり

赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]

メーカー

アドバンス理工

型番

RTP-6

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2005

仕様

加熱方式:赤外線ランプ上部片面加熱
プロセス温度:室温～1000℃
昇温速度:10℃/秒以下
プロセスガス:N2, Ar+H2(3%), Ar, O2
最大試料サイズ:6インチΦ

赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2]

メーカー

アドバンス理工

型番

RTP-6

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2021

仕様

加熱方式:赤外線ランプ上部片面加熱
プロセス温度:1100℃以下
昇温速度:10℃/秒以下
プロセスガス:Ar, N2, Ar+H2(3%)
最大試料サイズ:6インチΦ

赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]

メーカー

アドバンス理工

型番

RTP-6

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2022

仕様

加熱方式:赤外線ランプ上部片面加熱
プロセス温度:1100℃以下
昇温速度:10℃/秒以下
プロセスガス:N2, Ar+H2(3%), O2
最大試料サイズ:6インチΦ

FE-SEM [S-4800]

メーカー

日立ハイテク

型番

S-4800

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2007

仕様

加速電圧:0.5～30kV
リタ―ディング:0.1～2kV
倍率:20～800K
分解能:1.0 nm (15 kV) , 1.4 nm (1 kV)
検出器:SE
最大試料サイズ:6インチΦ

FE-SEM+EDX [S-4800]

メーカー

日立ハイテク

型番

S-4800

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2003

仕様

加速電圧:0.5～30kV
リタ―ディング:0.1～2kV
倍率:20～800K
分解能:1.0 nm (15 kV) , 1.4 nm (1 kV)
検出器:SE、BSE
最大試料サイズ:6インチΦ
EDX:HORIBA社製X-MAX80

FE-SEM+EDX [SU8000]

メーカー

日立ハイテク

型番

SU8000

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2010

仕様

加速電圧:0.5～30kV
リタ―ディング:0.1～2kV
倍率:20～800K
分解能:1.0 nm (15 kV) , 1.3 nm (1 kV)
検出器:SE、BSE
最大試料サイズ:4インチΦ
EDX:Bruker社製 FQ5060

FE-SEM+EDX [SU8230]

メーカー

日立ハイテク

型番

SU8230

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2014

仕様

加速電圧:0.5～30kV
リタ―ディング:0.01～2kV
倍率:20～1,000K
分解能:0.8 nm (15 kV) , 1.1 nm (1 kV)
検出器:SE、BSE
最大試料サイズ:6インチΦ
EDX:HORIBA社製X-MAX80

卓上電子顕微鏡 [TM3000]

メーカー

日立ハイテク

型番

TM3000

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2013

仕様

加速電圧:5／15 kV
リタ―ディング:
倍率:15～10K
分解能:
検出器:BSE
最大試料サイズ:70mm
EDX:Bruker社製 Xflash MIN

走査型プローブ顕微鏡 [Jupiter XR]

メーカー

オックスフォード・インスツルメンツ

型番

Jupiter XR

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2021

仕様

測定モード:形状測定、メカニカル測定、電気測定、磁気測定、等
走査範囲:90um x 90um
ステージ可動範囲:200mm角
最大試料サイズ:8インチΦ

走査型プローブ顕微鏡 [L-trace]

メーカー

日立ハイテク

型番

L-trace

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

〇

導入年

2006

仕様

測定モード:コンタクトAFM、タッピングAFM、摩擦力顕微鏡
走査範囲:90um x 90um
ステージ可動範囲:
最大試料サイズ:6インチΦ

走査型プローブ顕微鏡 [Nanoscope5]

メーカー

ブルカー

型番

Nanoscope5

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

-

仕様

測定モード:コンタクトAFM, タッピングAFM,
磁気力顕微鏡, 電気化学STM, 液相 AFM.
走査範囲:
ステージ可動範囲:
最大試料サイズ:

レーザー顕微鏡 [LEXT OLS4000]

メーカー

オリンパス

型番

LEXT OLS4000

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2012

仕様

光源:405nm半導体レーザー
分解能:XY：0.12um／Z：0.01um
観察モード:レーザー観察，白色光明視野，微分干渉観察
最大試料サイズ:100mm角

レーザー顕微鏡 [VK-9700]

メーカー

キーエンス

型番

VK-9700

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2012

仕様

光源:408nm半導体レーザー
分解能:
観察モード:レーザー観察，白色光明視野
最大試料サイズ:100mmΦ

イオンスパッタ [E-1045]

メーカー

日立ハイテク

型番

E-1045

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2008

仕様

成膜材料:Pt, C
最大試料サイズ:60mmΦ

評価・計測

触針式プロファイラー [Dektak XT-A]

メーカー

ブルカー

型番

Dektak XT-A

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

〇

導入年

2021

仕様

分解能:1Å（6.5umレンジ）
走査距離:55mm
触圧範囲:0.03-15mg
最大試料サイズ:8インチΦ
その他:自動ステージ3Dマッピング

触針式プロファイラー [Dektak 6M]

メーカー

ブルカー

型番

Dektak 6M

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2004

仕様

垂直分解能:0.1 nm
垂直測定高さ:262µm（最大）
測定長:50 µm～30 mm
最大試料サイズ:

エリプソメーター [MARY-102FM]

メーカー

ファイブラボ

型番

MARY-102FM

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2007

仕様

光源:632nm He-Neレーザー
ビーム径:0.8mm
入射角:50度、60度、70度
最大試料サイズ:4インチΦ
その他:自動マッピング

分光エリプソメーター [M2000]

メーカー

JAウーラム

型番

M2000

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2010

仕様

光源:重水素ハロゲンランプ
分光範囲:250-1000nm
入射角:45度～90度
最大試料サイズ:6インチΦ

顕微分光膜厚計 [F54-XY-200-UV]

メーカー

フィルメトリクス

型番

F54-XY-200-UV

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2020

仕様

光源:重水素ハロゲンランプ
波長:190-1100nm
スポット径:10 um以下
測定膜厚範囲:5nm～30um
最大試料サイズ:8インチφ
その他:自動マッピング

薄膜応力測定装置 [FLX-2000-A]

メーカー

東朋テクノロジー

型番

FLX-2000-A

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2018

仕様

測定方式:レーザースキャン方式
測定範囲:1～4000MPa
測定再現性:1.3MPa（1σ）
試料サイズ:3,6,8インチΦ
その他:3Dマッピング機能

室温プローバー [MX-200/B]

メーカー

ベクターセミコン

型番

MX-200/B

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2007

仕様

プローブ:同軸プローブ
マニピュレータ:4基
I-V測定端子:4ユニット
C-V測定端子:1ユニット
最大試料サイズ:4インチΦ
その他:試料ステージ電圧印加可

室温プローバー [HMP-400]

メーカー

ハイソル

型番

HMP-400

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2008

仕様

プローブ:同軸プローブ
マニピュレータ:4基
I-V測定端子:4ユニット
C-V測定端子:1ユニット
最大試料サイズ:4インチΦ
その他:試料ステージ加熱機構

低温プローバー [GRAIL-408-32-B]

メーカー

ナガセテクノエンジニアリング

型番

GRAIL-408-32-B

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

-

仕様

試料冷却方式:無冷媒式
プローブ:同軸プローブ
マニピュレータ:4基
I-V測定端:4ユニット
最大試料サイズ:4インチΦ
温度:8Kから300Kまで可変

液体窒素プローバー [SB-LN2]

メーカー

サーマルブロック

型番

SB-LN2

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2011

仕様

試料冷却方式:液体窒素
プローブ:SMAプローブ
マニピュレータ:4基
I-V測定端:4ユニット
最大試料サイズ:20mm角
温度:77Kから500Kまで可変

ワイヤーボンダー [7476D #1]

メーカー

ウェストボンド

型番

7476D

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2006

仕様

ボンディング方式:超音波／熱圧着
ボンディングウェッジ:45度、90度
ワイヤー材質:金線，アルミ線
ワークホルダー温度:300度以下
最大試料サイズ:50mm角

ワイヤーボンダー [7476D #2]

メーカー

ウェストボンド

型番

7476D

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2008

仕様

ボンディング方式:超音波／熱圧着
ボンディングウェッジ:45度、90度
ワイヤー材質:金線，アルミ線
ワークホルダー温度:300度以下
最大試料サイズ:50mm角

ダイシングソー [DAD322]

メーカー

ディスコ

型番

DAD322

設置場所

千現地区 材料信頼性実験棟

夜間運転

-

導入年

2018

仕様

切削刃:ダイヤモンドブレード
切削範囲:XY：162mm以下
最大試料サイズ:6インチφ

ダイシングソー [DAD3220]

メーカー

ディスコ

型番

DAD3220

設置場所

並木地区 MANA棟

夜間運転

-

導入年

2007

仕様

切削刃:ダイヤモンドブレード
切削範囲:XY：162mm以下
最大試料サイズ:6インチφ