ユーザーレベルより下位のデータが閲覧可能です。
(例)ULv3のユーザー : DLv1, 2, 3が閲覧可能
☆☆☆ユーザーレベル(ULv)☆☆☆
ULv1:ユーザー登録者
ULv2:利用実績保有者(単年度利用)
ULv3:利用実績保有者(継続利用)
ULv4:MiNaProデータ提供者
ULv5:NIMS微細加工PFスタッフ
★★★データレベル(DLv)★★★
DLv1:成膜プロセスデータ
DLv2:露光プロセスデータ
DLv3:エッチングプロセスデータ
DLv4:応用・特殊プロセスデータ
DLv5:技術代行支援データ
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+ArによるALD-HfO2のエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+ArによるALD-Al2O3のエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+ArによるCVD-SiNのエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+ArによるCVD-SiO2のエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+Arによる熱酸化SiO2のエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+N2によるCVD-SiNのエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+N2によるCVD-SiO2のエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+N2による熱酸化SiO2のエッチング
2018/10/30公開【DLv3】CHF3によるCVD-SiNのエッチング
2018/10/30公開【DLv3】CHF3によるCVD-SiO2のエッチング
2018/10/30公開【DLv3】CHF3による熱酸化SiO2のエッチング
2018/10/11公開【DLv3】リン酸過水(H3PO4:H2O2:H2O)によるGaAsのウェットエッチング
2018/10/11公開【DLv3】TMAH2.38%によるALD-Al2O3のウェットエッチング
2018/10/11公開【DLv3】BHF(10:1)によるALD-Al2O3のウェットエッチング
2018/10/5公開【DLv3】BHF(10:1)によるCVD-SiO2のウェットエッチング
2018/10/5公開【DLv3】BHF(50:1)による熱酸化SiO2のウェットエッチング
2018/10/5公開【DLv3】BHF(10:1)による熱酸化SiO2のウェットエッチング
2018/10/1公開【DLv1】プラズマCVD装置によるSiNの成膜レート(2018/9/27更新)
2018/10/1公開【DLv1】CVD-SiN膜の応力変化(N2流量依存@200℃)
2018/9/13公開【DLv3】酸化膜ドライエッチング装置(APS)におけるZPNレジストマスクでのSiO2エッチング
2018/9/11公開【DLv3】酸化膜ドライエッチング装置(APS)におけるSiO2間欠エッチング
2018/9/11公開【DLv3】酸化膜ドライエッチング装置(APS)における異種ガスによるSiO2エッチング
2018/9/10公開【DLv2】125kV電子ビーム描画装置におけるXR-1541 (2%) の描画条件
2018/9/5公開【DLv2】ネガレジストZPN1150のベーク温度と露光パターン形状
2018/6/18公開【DLv1】CVD-SiN膜の応力変化(RFパワー依存@250℃)
2018/6/18公開【DLv1】CVD-SiN膜の応力変化(圧力依存@250℃)
2018/6/18公開【DLv1】CVD-SiN膜の応力変化(成膜温度依存)
2018/6/13公開【DLv3】CHF3+Ar混合ガスによるAl2O3およびHfO2のエッチング
2018/6/13公開【DLv3】CHF3+Ar混合ガスによるSiO2およびSiNのエッチング
2018/6/13公開【DLv3】CHF3+N2混合ガスによるAl2O3およびHfO2のエッチング
2018/6/13公開【DLv3】CHF3+N2混合ガスによるSiO2およびSiNのエッチング
2018/6/13公開【DLv3】CHF3によるAl2O3およびHfO2のエッチング
2018/6/13公開【DLv3】CHF3によるSiO2およびSiNのエッチング
2018/5/31公開【DLv3】HSQのエッチング耐性(CCP-RIE / SF6)
2018/5/31公開【DLv3】EBレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / SF6)
2018/5/31公開【DLv3】フォトレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / SF6)
2018/5/31公開【DLv3】HSQのエッチング耐性(CCP-RIE / CF4)
2018/5/31公開【DLv3】EBレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CF4)
2018/5/31公開【DLv3】フォトレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CF4)
2018/5/31公開【DLv3】HSQのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3+Ar)
2018/5/31公開【DLv3】EBレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3+Ar)
2018/5/31公開【DLv3】フォトレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3+Ar)
2018/5/30公開【DLv1】全自動スパッタによるITOの成膜
2018/5/22公開【DLv3】HSQのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3+N2)
2018/5/22公開【DLv3】EBレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3+N2)
2018/5/22公開【DLv3】フォトレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3+N2)
2018/5/22公開【DLv3】HSQのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3)
2018/5/22公開【DLv3】EBレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3)
2018/5/22公開【DLv3】フォトレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3)
2018/5/9公開【DLv3】Cl2+O2混合ガスによるMo薄膜のドライエッチング
2018/5/9公開【DLv3】Cl2+N2混合ガスによるTi薄膜のドライエッチング
2018/5/9公開【DLv3】Cl2+N2混合ガスによるTa薄膜のドライエッチング
2018/5/7公開【DLv3】Cl2+N2混合ガスによるTiN薄膜のドライエッチング
2018/5/7公開【DLv3】Cl2+O2混合ガスによるCr薄膜のドライエッチング
2018/4/25公開【DLv3】CHF3ガスによるSiO2のエッチング
2018/4/11公開【DLv3】SF6ガスによるSiのエッチング
2018/4/9公開【DLv3】CF4ガスによるSiのドライエッチング
2018/4/5公開【DLv2】ポジ型フォトレジストAZP4903の標準条件(マスクレス露光)
2018/4/2公開【DLv1】n-GaAsのオーミック電極作製条件
2018/3/30公開【DLv2】ポジ型フォトレジストAZP4620の標準条件(マスクレス露光)
2018/3/29公開【DLv2】2層フォトレジストLOR5A/AZ5214Eの標準条件(マスクレス露光)
2018/3/29公開【DLv2】ELS-7000 (100kV) におけるPMMA (A6) の標準条件
2018/3/27公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) におけるPMMA (A6) の標準条件
2018/3/27公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) による50nmラインアンドスペース描画
2018/3/26公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) におけるNEB-22A2の標準条件
2018/3/23公開【DLv2】ポジ型フォトレジストAZ5214Eの標準条件(マスクレス露光)
2018/3/23公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) におけるAR-P6200 (DR1.5) の標準条件
2018/3/22公開【DLv1】全自動スパッタによるTiNの成膜
2018/3/20公開【DLv1】12連電子銃型蒸着装置で成膜した薄膜の面内均一性
2018/3/19公開【DLv1】全自動スパッタによるZnOの成膜
2018/3/19公開【DLv3】CHF3ガスによるSiO2膜のドライエッチング
2018/3/19公開【DLv3】GaAsの深掘りドライエッチング
2018/3/19公開【DLv3】Cl2+Ar混合ガスによるSiのドライエッチング
2018/3/19公開【DLv3】Cl2+N2混合ガスによるGaAsのドライエッチング
2018/3/19公開【DLv3】Cl2+Ar混合ガスによるInPのドライエッチング
2018/3/19公開【DLv2】ネガ型フォトレジストZPN1150の標準条件(マスクレス露光)
2018/3/14公開【DLv3】Cl2+N2混合ガスによるAl薄膜のドライエッチング
2018/3/13公開【DLv1】全自動スパッタ装置の逆スパッタレート(SiO2)
2018/3/13公開【DLv1】全自動スパッタ装置の成膜レート (100W, 200W)
2018/3/12公開【DLv1】超高真空スパッタ装置の成膜レート
2018/3/12公開【DLv1】ALD-HfO2(250℃)の成膜レート
2018/3/12公開【DLv1】ALD-HfO2(120℃)の成膜レート
2018/3/12公開【DLv1】全自動スパッタ装置の成膜レート (300W標準条件)
2018/3/8公開【DLv2】EBレジスト(PMMA, NEB, XR)のスピンカーブ
2018/3/8公開【DLv1】ALD-Al2O3(300℃)の成膜レート
2018/3/8公開【DLv2】フォトレジスト (AZ, ZPN) のスピンカーブ
2018/3/5公開【DLv2】ELS-7000 (100kV) におけるAR-P6200 (DR1.5) の標準条件
2018/3/5公開【DLv1】ALD-Al2O3(120℃)の成膜レート
2018/3/5公開【DLv2】EBレジスト(AR-P6200)のスピンカーブ
2018/3/5公開【DLv2】犠牲層レジストのスピンカーブ
2018/3/5公開【DLv2】ELS-7000 (100kV) におけるNEB-22A2の標準条件
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