NIMS微細加工プロセスデータベースMiNaPro
Research-Support Management System in NIMS Nanofabrication Platform
ユーザーレベルより下位のデータが閲覧可能です。
（例）ULv3のユーザー ： DLv1, 2, 3が閲覧可能
☆☆☆ユーザーレベル（ULv）☆☆☆
ULv1：ユーザー登録者
ULv2：利用実績保有者（単年度利用）
ULv3：利用実績保有者（継続利用）
ULv4：MiNaProデータ提供者
ULv5：NIMS微細加工PFスタッフ
★★★データレベル（DLv）★★★
DLv1：成膜プロセスデータ
DLv2：露光プロセスデータ
DLv3：エッチングプロセスデータ
DLv4：応用・特殊プロセスデータ
DLv5：技術代行支援データ
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(MiNaPro Manual)
2022/9/30 【DLv1】装置操作マニュアルのアップロード
2021/9/24更新【DLv2】２層フォトレジストLOR5A/AZ MiR-703の標準条件（マスクレス露光）
2021/9/2更新【DLv2】ポジ型フォトレジストAZ MiR-703の標準条件（マスクレス露光）
2021/9/2更新【DLv2】フォトレジスト（AZ MiR-703(14cp)）のスピンカーブ
2021/5/20更新【DLv2】フォトレジスト（THMR-iP3650 HP 5cp）のスピンカーブ
2020/12/3更新【DLv2】ポジ型フォトレジストAZP4620の標準条件（マスクレス露光）
2020/12/3更新【DLv2】ネガ型フォトレジストZPN1150の標準条件（マスクレス露光）
2020/12/3更新【DLv2】ポジ型フォトレジストAZ5214Eの標準条件（マスクレス露光）
2020/5/14更新【DLv2】ELS-F125 (125kV) による２層レジスト PMGI SF9S / FEP171 の描画条件
2020/3/6更新【DLv1】多元スパッタ(i-Miller)によるITOの成膜
2020/1/22更新【DLv1】多元スパッタ装置(i-Miller)の成膜レート (200W標準条件)
2019/11/14公開【DLv1】反応性スパッタによるTiN成膜レートと抵抗率
2019/11/14更新【DLv1】多元スパッタ装置(i-Miller)の成膜レート (200W標準条件)
2019/10/30更新【DLv1】多元スパッタ装置(i-Miller)の成膜レート (200W標準条件)
2019/10/30公開【DLv1】多元スパッタ装置(i-Miller)の逆スパッタレート（SiO2）
2019/10/8公開【DLv1】SN2を用いたCVD-SiN膜の応力温度変化
2019/10/8公開【DLv1】SN2を用いたCVD-SiN膜の応力経時変化
2019/10/4公開【DLv1】CVD-SiO2膜の応力変化（Recipe1～4）
2019/9/26更新【DLv1】多元スパッタ装置(i-Miller)の成膜レート (200W標準条件)
2019/8/19公開【DLv1】蒸着・スパッタの指向性・被覆性の違い
2019/8/19公開【DLv1】ALDとPECVDの被覆性の違い
2019/6/27公開【DLv3】酸化膜ドライエッチング装置（APS）によるCVD-SiNのエッチング
2019/6/26公開【DLv2】ネガ型フォトレジストSU-8 3005の標準条件（マスクレス露光）
2019/4/1公開【DLv1】多元スパッタ装置(i-Miller)の成膜レート (200W標準条件)
2019/2/28公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) によるAR-P6200（DR5.0）の標準条件
2019/2/28公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) によるAR-P6200（DR4.0）の標準条件
2019/2/28公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) によるAR-P6200（DR2.5）の標準条件
2019/2/28公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) によるAR-P6200（DR2.0）の標準条件
2019/2/28公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) によるAR-P6200（DR1.5）のドーズ依存
2019/2/28公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) によるAR-P6200（DR1.25）の標準条件
2019/2/28公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) によるAR-P6200の標準条件
2019/2/26公開【DLv3】Deep-RIEによるSiエッチング（Recipe３）
2019/2/26公開【DLv3】Deep-RIEによるSiエッチング（Recipe２）
2019/2/26公開【DLv3】Deep-RIEによるSiエッチング（Recipe１）
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+ArによるALD-HfO2のエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+ArによるALD-Al2O3のエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+ArによるCVD-SiNのエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+ArによるCVD-SiO2のエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+Arによる熱酸化SiO2のエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+N2によるCVD-SiNのエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+N2によるCVD-SiO2のエッチング
2018/10/31公開【DLv3】CHF3+N2による熱酸化SiO2のエッチング
2018/10/30公開【DLv3】CHF3によるCVD-SiNのエッチング
2018/10/30公開【DLv3】CHF3によるCVD-SiO2のエッチング
2018/10/30公開【DLv3】CHF3による熱酸化SiO2のエッチング
2018/10/11公開【DLv3】リン酸過水（H3PO4:H2O2:H2O）によるGaAsのウェットエッチング
2018/10/11公開【DLv3】TMAH2.38%によるALD-Al2O3のウェットエッチング
2018/10/11公開【DLv3】BHF（10：1）によるALD-Al2O3のウェットエッチング
2018/10/5公開【DLv3】BHF（10：1）によるCVD-SiO2のウェットエッチング
2018/10/5公開【DLv3】BHF（50：1）による熱酸化SiO2のウェットエッチング
2018/10/5公開【DLv3】BHF（10：1）による熱酸化SiO2のウェットエッチング
2018/10/1公開【DLv1】プラズマCVD装置によるSiNの成膜レート（2018/9/27更新）
2018/10/1公開【DLv1】CVD-SiN膜の応力変化（N2流量依存＠200℃）
2018/9/13公開【DLv3】酸化膜ドライエッチング装置（APS）におけるZPNレジストマスクでのSiO2エッチング
2018/9/11公開【DLv3】酸化膜ドライエッチング装置（APS）におけるSiO2間欠エッチング
2018/9/11公開【DLv3】酸化膜ドライエッチング装置（APS）における異種ガスによるSiO2エッチング
2018/9/10公開【DLv2】125kV電子ビーム描画装置におけるXR-1541 (2%) の描画条件
2018/9/5公開【DLv2】ネガレジストZPN1150のベーク温度と露光パターン形状
2018/6/18公開【DLv1】CVD-SiN膜の応力変化（RFパワー依存＠250℃）
2018/6/18公開【DLv1】CVD-SiN膜の応力変化（圧力依存＠250℃）
2018/6/18公開【DLv1】CVD-SiN膜の応力変化（成膜温度依存）
2018/6/13公開【DLv3】CHF3+Ar混合ガスによるAl2O3およびHfO2のエッチング
2018/6/13公開【DLv3】CHF3+Ar混合ガスによるSiO2およびSiNのエッチング
2018/6/13公開【DLv3】CHF3+N2混合ガスによるAl2O3およびHfO2のエッチング
2018/6/13公開【DLv3】CHF3+N2混合ガスによるSiO2およびSiNのエッチング
2018/6/13公開【DLv3】CHF3によるAl2O3およびHfO2のエッチング
2018/6/13公開【DLv3】CHF3によるSiO2およびSiNのエッチング
2018/5/31公開【DLv3】HSQのエッチング耐性(CCP-RIE / SF6)
2018/5/31公開【DLv3】EBレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / SF6)
2018/5/31公開【DLv3】フォトレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / SF6)
2018/5/31公開【DLv3】HSQのエッチング耐性(CCP-RIE / CF4)
2018/5/31公開【DLv3】EBレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CF4)
2018/5/31公開【DLv3】フォトレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CF4)
2018/5/31公開【DLv3】HSQのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3+Ar)
2018/5/31公開【DLv3】EBレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3+Ar)
2018/5/31公開【DLv3】フォトレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3+Ar)
2018/5/30公開【DLv1】全自動スパッタによるITOの成膜
2018/5/22公開【DLv3】HSQのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3+N2)
2018/5/22公開【DLv3】EBレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3+N2)
2018/5/22公開【DLv3】フォトレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3+N2)
2018/5/22公開【DLv3】HSQのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3)
2018/5/22公開【DLv3】EBレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3)
2018/5/22公開【DLv3】フォトレジストのエッチング耐性(CCP-RIE / CHF3)
2018/5/9公開【DLv3】Cl2+O2混合ガスによるMo薄膜のドライエッチング
2018/5/9公開【DLv3】Cl2+N2混合ガスによるTi薄膜のドライエッチング
2018/5/9公開【DLv3】Cl2+N2混合ガスによるTa薄膜のドライエッチング
2018/5/7公開【DLv3】Cl2+N2混合ガスによるTiN薄膜のドライエッチング
2018/5/7公開【DLv3】Cl2+O2混合ガスによるCr薄膜のドライエッチング
2018/4/25公開【DLv3】CHF3ガスによるSiO2のエッチング
2018/4/11公開【DLv3】SF6ガスによるSiのエッチング
2018/4/9公開【DLv3】CF4ガスによるSiのドライエッチング
2018/4/5公開【DLv2】ポジ型フォトレジストAZP4903の標準条件（マスクレス露光）
2018/4/2公開【DLv1】n-GaAsのオーミック電極作製条件
2018/3/30公開【DLv2】ポジ型フォトレジストAZP4620の標準条件（マスクレス露光）
2018/3/29公開【DLv2】2層フォトレジストLOR5A/AZ5214Eの標準条件（マスクレス露光）
2018/3/29公開【DLv2】ELS-7000 (100kV) におけるPMMA (A6) の標準条件
2018/3/27公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) におけるPMMA (A6) の標準条件
2018/3/27公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) による50nmラインアンドスペース描画
2018/3/26公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) におけるNEB-22A2の標準条件
2018/3/23公開【DLv2】ポジ型フォトレジストAZ5214Eの標準条件（マスクレス露光）
2018/3/23公開【DLv2】ELS-F125 (125kV) におけるAR-P6200 (DR1.5) の標準条件
2018/3/22公開【DLv1】全自動スパッタによるTiNの成膜
2018/3/20公開【DLv1】12連電子銃型蒸着装置で成膜した薄膜の面内均一性
2018/3/19公開【DLv1】全自動スパッタによるZnOの成膜
2018/3/19公開【DLv3】CHF3ガスによるSiO2膜のドライエッチング
2018/3/19公開【DLv3】GaAsの深掘りドライエッチング
2018/3/19公開【DLv3】Cl2+Ar混合ガスによるSiのドライエッチング
2018/3/19公開【DLv3】Cl2+N2混合ガスによるGaAsのドライエッチング
2018/3/19公開【DLv3】Cl2+Ar混合ガスによるInPのドライエッチング
2018/3/19公開【DLv2】ネガ型フォトレジストZPN1150の標準条件（マスクレス露光）
2018/3/14公開【DLv3】Cl2+N2混合ガスによるAl薄膜のドライエッチング
2018/3/13公開【DLv1】全自動スパッタ装置の逆スパッタレート（SiO2）
2018/3/13公開【DLv1】全自動スパッタ装置の成膜レート (100W, 200W)
2018/3/12公開【DLv1】超高真空スパッタ装置の成膜レート
2018/3/12公開【DLv1】ALD-HfO2（250℃）の成膜レート
2018/3/12公開【DLv1】ALD-HfO2（120℃）の成膜レート
2018/3/12公開【DLv1】全自動スパッタ装置の成膜レート (300W標準条件)
2018/3/8公開【DLv2】EBレジスト（PMMA, NEB, XR）のスピンカーブ
2018/3/8公開【DLv1】ALD-Al2O3（300℃）の成膜レート
2018/3/8公開【DLv2】フォトレジスト (AZ, ZPN) のスピンカーブ
2018/3/5公開【DLv2】ELS-7000 (100kV) におけるAR-P6200 (DR1.5) の標準条件
2018/3/5公開【DLv1】ALD-Al2O3（120℃）の成膜レート
2018/3/5公開【DLv2】EBレジスト（AR-P6200）のスピンカーブ
2018/3/5公開【DLv2】犠牲層レジストのスピンカーブ
2018/3/5公開【DLv2】ELS-7000 (100kV) におけるNEB-22A2の標準条件
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