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電子ビーム描画装置 [JBX-8100FS]
![電子ビーム描画装置 [JBX-8100FS]](data/facility_item/1701132163_6.jpg)
- メーカー
- 日本電子
- 型番
- JBX-8100FS
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- 2023
- 用途
- リソグラフィ
- 仕様
- 加速電圧:100kV (最大200kV)
電流値:5pA~200nA
つなぎ精度:20nm以下
重ね合わせ精度:20nm以下
最大試料サイズ:8インチΦ
EB描画、EBリソグラフィー、電子線描画、電子線リソグラフィー、EB露光、電子線露光、グレースケール露光
電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]
![電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]](data/facility_item/1686044466_2.jpg)
- メーカー
- エリオニクス
- 型番
- ELS-BODEN100
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- 2022
- 用途
- リソグラフィ
- 仕様
- 加速電圧:100kV
電流値:100pA~20nA
つなぎ精度:30nm以下
重ね合わせ精度:35nm以下
最大試料サイズ:8インチΦ
EB描画、EBリソグラフィー、電子線描画、電子線リソグラフィー、EB露光、電子線露光、グレースケール露光、EB Lithography, E-Beam Lithography, Electron Beam Lithography, EB Exposure, E-Beam Exposure, Electron Beam Exposure, Grayscale Exposure,
レーザー描画装置 [DWL66+]
![レーザー描画装置 [DWL66+]](data/facility_item/1681961921_4.jpg)
- メーカー
- ハイデルベルグ・インスツルメンツ
- 型番
- DWL66+
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- 2021
- 用途
- リソグラフィ
- 仕様
- 露光方式:レーザー直接描画
光源:375nm半導体レーザー
解像度:0.3um (HiRes時)
位置決め精度:0.5um以下
重ね合わせ精度:0.5um以下
最大試料サイズ:8インチ角
レーザーリソグラフィー、レーザー露光、半導体レーザー、グレースケール露光、Laser Lithography, Laser Exposure, Semiconductor Laser, Grayscale Exposure
マスクレス露光装置 [DL-1000]
![マスクレス露光装置 [DL-1000]](data/facility_item/1681961951_4.jpg)
- メーカー
- ナノシステムソリューションズ
- 型番
- DL-1000
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- ---
- 用途
- リソグラフィ
- 仕様
- 露光方式:DMD
光源:405nm半導体レーザー
解像度:1um
位置決め精度:1um以下
重ね合わせ精度:1um以下
最大試料サイズ:4インチ角
レーザーリソグラフィー、レーザー露光、レーザー描画、半導体レーザー、Laser Lithography, Laser Exposure, Semiconductor Laser
マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]
![マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]](data/facility_item/1681961976_4.jpg)
- メーカー
- ナノシステムソリューションズ
- 型番
- DL-1000/NC2P
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- 2014
- 用途
- リソグラフィ
- 仕様
- 露光方式:DMD
光源:405nm半導体レーザー
解像度:1um
位置決め精度:1um以下
重ね合わせ精度:1um以下
最大試料サイズ:8インチ角
レーザーリソグラフィー、レーザー露光、レーザー描画、半導体レーザー、Laser Lithography, Laser Exposure, Semiconductor Laser
マスクレス露光装置 [MLA150]
![マスクレス露光装置 [MLA150]](data/facility_item/1686044502_2.jpg)
- メーカー
- ハイデルベルグ・インスツルメンツ
- 型番
- MLA150
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- 2023
- 用途
- リソグラフィ
- 仕様
- 露光方式:DMD
光源:375nm半導体レーザー
解像度:1um
位置決め精度:0.5um以下
重ね合わせ精度:0.5um以下
最大試料サイズ:8インチ角
レーザーリソグラフィー、レーザー露光、レーザー描画、半導体レーザー、グレースケール露光、Laser Lithography, Laser Exposure, Semiconductor Laser, Grayscale Exposure
水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]
![水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]](data/facility_item/1688082598_13.jpg)
- メーカー
- サムコ
- 型番
- AQ-500 #1
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2021
- 用途
- 洗浄
- 仕様
- 高周波出力:50-250W
反応ガス:H2O,O2
最大試料サイズ:8インチΦ
アクアプラズマ、O2プラズマ、アッシング、RIE、エッチング、アッシャー、エッチャー、基板クリーニング、Aqua Plasma, O2 Plasma, Ashing, RIE, Etching, Asher, Etcher, Substrate Cleaning
水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
![水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]](data/facility_item/1686044560_2.jpg)
- メーカー
- サムコ
- 型番
- AQ-500 #2
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2023
- 用途
- 洗浄
- 仕様
- 高周波出力:50-250W
反応ガス:H2O,O2
最大試料サイズ:8インチΦ
アクアプラズマ、O2プラズマ、アッシング、RIE、エッチング、アッシャー、エッチャー、基板クリーニング、Aqua Plasma, O2 Plasma, Ashing, RIE, Etching, Asher, Etcher, Substrate Cleaning
UVオゾンクリーナー [UV-1]
![UVオゾンクリーナー [UV-1]](data/facility_item/1681962037_4.jpg)
- メーカー
- サムコ
- 型番
- UV-1
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 洗浄
- 仕様
- 光源:UVランプ (253.7nm及び184.9nm, 110W出力)
オゾン発生器:無声放電方式
ステージ温度:室温~300度
最大試料サイズ:8インチΦ
基板クリーニング、Substrate Cleaning
蒸気二流体洗浄装置 [SSM101]
![蒸気二流体洗浄装置 [SSM101]](data/facility_item/1738228060_6.jpg)
- メーカー
- HUGパワー
- 型番
- SSM101
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2024
- 用途
- 洗浄
- 仕様
- ・用途:基板洗浄、リフトオフ
・手法:蒸気二流体超音速噴射
・溶液:純水
・乾燥:スピン乾燥、N2ブロー
・最大試料サイズ:φ6inch
洗浄、リフトオフ、蒸気二流体、純水、Cleaning, Lift-off, Steam two fluid, DI-water
スパッタ装置 [JSP-8000]
![スパッタ装置 [JSP-8000]](data/facility_item/1681962101_4.jpg)
- メーカー
- アルバック
- 型番
- JSP-8000
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- ---
- 用途
- 薄膜形成
- 仕様
- 電源:DC x 2, RF x 1
電源出力:500W
ターゲット:4インチΦ×4式
プロセスガス:Ar,O2,N2
最大試料サイズ:6インチΦ
基板加熱:最高300℃(設定値)
スパッター、成膜、金属膜、酸化膜、酸化物、スパッタリング、Film Deposition, Metal Films, Oxide Films, Sputtering
スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]
![スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]](data/facility_item/1688082816_13.jpg)
- メーカー
- 芝浦メカトロニクス
- 型番
- CFS-4EP-LL #2
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- ---
- 用途
- 薄膜形成
- 仕様
- 電源:DC×2、RF×1
電源出力:500W
カソード:3インチΦ×4式
プロセスガス:Ar、O2、N2
最大試料サイズ:6インチΦ
基板加熱:最高300℃(設定値)
スパッター、成膜、金属膜、酸化膜、酸化物、スパッタリング、Film Deposition, Metal Films, Oxide Films, Sputtering
スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]
![スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]](data/facility_item/1681962166_4.jpg)
- メーカー
- 芝浦メカトロニクス
- 型番
- CFS-4EP-LL #3
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- 2019
- 用途
- 薄膜形成
- 仕様
- 電源:DC x 1, RF x 2
電源出力:500W
カソード:3インチΦ×4式
プロセスガス:Ar,O2,N2
最大試料サイズ:8インチΦ
基板加熱:なし(水冷式)
スパッター、成膜、金属膜、酸化膜、酸化物、スパッタリング、Film Deposition, Metal Films, Oxide Films, Sputtering
スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #4]
![スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #4]](data/facility_item/1711327333_6.jpg)
- メーカー
- 芝浦メカトロニクス
- 型番
- CFS-4EP-LL
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- 2023
- 用途
- 薄膜形成
- 仕様
- 電源:DC×2、RF×1
電源出力:500W
カソード:3インチΦ×4式
プロセスガス:Ar、O2、N2
最大試料サイズ:8インチΦ
基板加熱:最高300℃(設定値)
スパッター、成膜、金属膜、酸化膜、酸化物、スパッタリング、Film Deposition, Metal Films, Oxide Films, Sputtering
電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]
![電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]](data/facility_item/1681962200_4.jpg)
- メーカー
- アールデック
- 型番
- RDEB-1206K
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 薄膜形成
- 仕様
- 加速電圧:10kV
最大エミッション:500mA
T-S間距離:500mm
到達真空度:10-5 Pa
最大試料サイズ:6インチΦ
材料:Ti, Au, Pd, Cu, Ag, Cr, SiO2, MgO, 他
EB蒸着、EBデポ、金属膜、電子ビーム蒸着、EB Deposition, Metal Films, E-Beam Deposition, Electron Beam Deposition
電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]
![電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]](data/facility_item/1681962224_4.jpg)
- メーカー
- アールデック
- 型番
- ADS-E86
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- 2021
- 用途
- 薄膜形成
- 仕様
- 加速電圧:6kV
最大エミッション:500mA
T-S間距離:500mm
到達真空度:10-5 Pa
最大試料サイズ:8インチΦ
材料:Ti, Au-Ge, Al, Ni, Au, Pt
EB蒸着、EBデポ、金属膜、電子ビーム蒸着、EB Deposition, Metal Films, E-Beam Deposition, Electron Beam Deposition
電子銃型蒸着装置 [MB-501010]
![電子銃型蒸着装置 [MB-501010]](data/facility_item/1686044616_2.jpg)
- メーカー
- エイコー
- 型番
- MB-501010
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2019
- 用途
- 薄膜形成
- 仕様
- 加速電圧:10kV
最大エミッション:500mA
T-S間距離:700mm
到達真空度:10-5 Pa
最大試料サイズ:6インチΦ
材料:Ag, Pd, Au, Pt, Al, Ti, Cr, Ni, 他
EB蒸着、EBデポ、金属膜、電子ビーム蒸着、EB Deposition, Metal Films, E-Beam Deposition, Electron Beam Deposition
電子銃型蒸着装置 [ADS-E810]
![電子銃型蒸着装置 [ADS-E810]](data/facility_item/1711327559_6.jpg)
- メーカー
- アールデック
- 型番
- ADS-E810
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2023
- 用途
- 薄膜形成
- 仕様
- 加速電圧:6kV
最大エミッション:500mA
T-S間距離:500mm
到達真空度:10-5 Pa
最大試料サイズ:8インチΦ
材料:Ti, Au-Ge, Al, Ni, Au, Pt, Pd, Ag, etc.
EB蒸着、EBデポ、金属膜、電子ビーム蒸着、EB Deposition, Metal Films, E-Beam Deposition, Electron Beam Deposition
原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
![原子層堆積装置 [SUNALE R-150]](data/facility_item/1686044653_2.jpg)
- メーカー
- ピコサン
- 型番
- SUNALE R-150
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- ---
- 用途
- 薄膜形成
- 仕様
- 成膜方式:サーマルまたはプラズマ
原料:TMA(Al2O3), TDMAT(TiO2), TDMAS(SiO2), TDMAHf(HfO2), ZrCp(ZrO2)
最大試料サイズ:6インチΦ
基板温度:室温~300℃(設定)
ALD、Atomic Layer Deposition,
原子層堆積装置 [AD-230LP]
![原子層堆積装置 [AD-230LP]](data/facility_item/1686044668_2.jpg)
- メーカー
- サムコ
- 型番
- AD-230LP
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- 2021
- 用途
- 薄膜形成
- 仕様
- 成膜方式:サーマルまたはプラズマ
原料:TMA(Al2O3, AlN), TDMAT(TiO2, TiN), BDEAS,(SiO2, SiN)
最大試料サイズ:8インチΦ
基板温度:室温~500℃(設定)
ALD、Atomic Layer Deposition,
SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]
![SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]](data/facility_item/1681965912_4.jpg)
- メーカー
- サムコ
- 型番
- PD-220NL
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2022
- 用途
- 薄膜形成
- 仕様
- 成膜方式:2周波プラズマCVD
原料:TEOS (SiO2)
最大試料サイズ:8インチΦ
基板温度:100℃以下~400℃
応力制御、Stress Control,
SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]
![SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]](data/facility_item/1681965930_4.jpg)
- メーカー
- サムコ
- 型番
- PD-220NL
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 薄膜形成
- 仕様
- 成膜方式:プラズマCVD
原料:SN-2 (SiN)
最大試料サイズ:8インチΦ
基板温度:200℃(標準)
CCP-RIE装置 [RIE-200NL]
![CCP-RIE装置 [RIE-200NL]](data/facility_item/1681965974_4.jpg)
- メーカー
- サムコ
- 型番
- RIE-200NL
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- エッチング
- 仕様
- プラズマ励起方式:平行平板型
電源出力:300W
プロセスガス:CHF3,CF4,SF6,Ar,O2,N2
試料ステージ温度:室温
最大試料サイズ:8インチΦ
エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,
ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
![ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]](data/facility_item/1681965990_4.jpg)
- メーカー
- サムコ
- 型番
- RIE-101iPH
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- エッチング
- 仕様
- プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大1kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:Cl2,BCl3,Ar,O2,N2
試料ステージ温度:-20℃~室温
最大試料サイズ:4インチΦ
エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Chlorine Gas, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,
ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]
![ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]](data/facility_item/1681966019_4.jpg)
- メーカー
- 住友精密工業
- 型番
- RV-APS-SE
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- エッチング
- 仕様
- プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大3kW
バイアス出力:最大1kW
プロセスガス:CHF3,CF4,C4F8,SF6,Ar,O2,He
試料ステージ温度:-10~+40℃
最大試料サイズ:4インチΦ
その他:終点検出器あり
エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,
ICP-RIE装置 [CE300I]
![ICP-RIE装置 [CE300I]](data/facility_item/1686044710_2.jpg)
- メーカー
- アルバック
- 型番
- CE300I
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- エッチング
- 仕様
- プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:1kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:Ar, O2, SF6, Cl2, BCl3, CF4, CHF3
試料ステージ温度:室温
最大試料サイズ:6インチΦ
エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Chlorine Gas, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,
シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]
![シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]](data/facility_item/1681966049_4.jpg)
- メーカー
- 住友精密工業
- 型番
- ASE-SRE
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- エッチング
- 仕様
- プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大1kW
バイアス出力:最大100W
プロセスガス:SF6,C4F8,Ar,O2
試料ステージ温度:室温
最大試料サイズ:6インチΦ
その他:ボッシュプロセス対応
エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,
原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]
![原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]](data/facility_item/1681966066_4.jpg)
- メーカー
- オックスフォード・インスツルメンツ
- 型番
- PlasmaPro 100 ALE
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2020
- 用途
- エッチング
- 仕様
- プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大3kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:Cl2,BCl3,SF6,Ar,N2,O2
試料ステージ温度:-30~+80℃
最大試料サイズ:6インチΦ
その他:終点検出器あり
エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Chlorine Gas, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,
低ダメージ精密エッチング装置 [Spica #1]
![低ダメージ精密エッチング装置 [Spica #1]](data/facility_item/1706866377_6.jpg)
- メーカー
- 住友精密工業
- 型番
- APX-Spica
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2023
- 用途
- エッチング
- 仕様
- プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大1kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:CHF3, CF4, C4F8, SF6, Ar,N2,O2
試料ステージ温度:+10~+30℃
最大試料サイズ:6インチΦ
その他:終点検出器あり
エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Chlorine Gas, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,
低ダメージ精密エッチング装置 [Spica #2]
![低ダメージ精密エッチング装置 [Spica #2]](data/facility_item/1706866770_6.jpg)
- メーカー
- 住友精密工業
- 型番
- APX-Spica
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2023
- 用途
- エッチング
- 仕様
- プラズマ励起方式:誘導結合型
ICP出力:最大1kW
バイアス出力:最大300W
プロセスガス:Cl2, BCl3, SF6, Ar,N2,O2
試料ステージ温度:+10~+30℃
最大試料サイズ:6インチΦ
その他:終点検出器あり
エッチャー、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、Etcher, Dry Etching, Chlorine Gas, Reactive Ion Etching, Plasma Etching,
イオンビームミリング複合装置 [16IBE-NIMS_SS]
![イオンビームミリング複合装置 [16IBE-NIMS_SS]](data/facility_item/1744101094_6.jpg)
- メーカー
- 伯東
- 型番
- 16IBE-NIMS_SS
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2025
- 用途
- エッチング
- 仕様
- ・プラズマ励起方式:直流放電型(カウフマン型)
・イオンビーム電圧:100-1000V
・イオンビーム電流:800mA
・プロセスガス:Ar
・グリッド径:φ16cm
・最大試料サイズ:φ6inch
・その他:RFスパッタ機構装備、SIMS検出器装備
イオンミリング、イオンビームエッチング、アルゴンエッチング、傾斜エッチング、スパッタ、磁性材料、難エッチング材料
赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]
![赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]](data/facility_item/1686044805_2.jpg)
- メーカー
- アドバンス理工
- 型番
- RTP-6 #1
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 熱処理
- 仕様
- 加熱方式:赤外線ランプ上部片面加熱
プロセス温度:室温~1000℃
昇温速度:10℃/秒以下
プロセスガス:N2, O2, Ar+H2(3%)
最大試料サイズ:6インチΦ
RTA、Rapid Thermal Annealer,
赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2]
![赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2]](data/facility_item/1681966102_4.jpg)
- メーカー
- アドバンス理工
- 型番
- RTP-6 #2
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2021
- 用途
- 熱処理
- 仕様
- 加熱方式:赤外線ランプ上部片面加熱
プロセス温度:1100℃以下
昇温速度:10℃/秒以下
プロセスガス:Ar, N2, Ar+H2(3%)
最大試料サイズ:6インチΦ
RTA、Rapid Thermal Annealer,
赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]
![赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]](data/facility_item/1681966115_4.jpg)
- メーカー
- アドバンス理工
- 型番
- RTP-6 #3
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2022
- 用途
- 熱処理
- 仕様
- 加熱方式:赤外線ランプ上部片面加熱
プロセス温度:1100℃以下
昇温速度:10℃/秒以下
プロセスガス:N2, Ar+H2(3%), O2
最大試料サイズ:6インチΦ
RTA、Rapid Thermal Annealer,
FE-SEM [S-4800]
![FE-SEM [S-4800]](data/facility_item/1681966140_4.jpg)
- メーカー
- 日立ハイテク
- 型番
- S-4800
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 観察・解析
- 仕様
- 加速電圧:0.5~30kV
リタ―ディング:0.1~2kV
倍率:20~800K
分解能:1.0 nm (15 kV) , 1.4 nm (1 kV)
検出器:SE
最大試料サイズ:6インチΦ
電子顕微鏡、Scanning Electron Microscope
FE-SEM+EDX [S-4800]
![FE-SEM+EDX [S-4800]](data/facility_item/1686044843_2.jpg)
- メーカー
- 日立ハイテク
- 型番
- S-4800
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 観察・解析
- 仕様
- 加速電圧:0.5~30kV
リタ―ディング:0.1~2kV
倍率:20~800K
分解能:1.0 nm (15 kV) , 1.4 nm (1 kV)
検出器:SE、BSE
最大試料サイズ:6インチΦ
EDX:HORIBA社製X-MAX80
電子顕微鏡、EDS、組成分析、マッピング、Scanning Electron Microscope, EDS, Composition Analysis, Mapping
FE-SEM+EDX [SU8000]
![FE-SEM+EDX [SU8000]](data/facility_item/1686044865_2.jpg)
- メーカー
- 日立ハイテク
- 型番
- SU8000
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 観察・解析
- 仕様
- 加速電圧:0.5~30kV
リタ―ディング:0.1~2kV
倍率:20~800K
分解能:1.0 nm (15 kV) , 1.3 nm (1 kV)
検出器:SE、BSE
最大試料サイズ:4インチΦ
EDX:Bruker社製 FQ5060
電子顕微鏡、EDS、組成分析、マッピング、Scanning Electron Microscope, EDS, Composition Analysis, Mapping
FE-SEM+EDX [SU8230]
![FE-SEM+EDX [SU8230]](data/facility_item/1686044887_2.jpg)
- メーカー
- 日立ハイテク
- 型番
- SU8230
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2014
- 用途
- 観察・解析
- 仕様
- 加速電圧:0.5~30kV
リタ―ディング:0.01~2kV
倍率:20~1,000K
分解能:0.8 nm (15 kV) , 1.1 nm (1 kV)
検出器:SE、BSE
最大試料サイズ:6インチΦ
EDX:HORIBA社製X-MAX80
電子顕微鏡、EDS、組成分析、マッピング、Scanning Electron Microscope, EDS, Composition Analysis, Mapping
FE-SEM+EDX [JSM-IT800]
![FE-SEM+EDX [JSM-IT800]](data/facility_item/1736222920_6.jpg)
- メーカー
- 日本電子
- 型番
- JSM-IT800
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2024
- 用途
- 観察・解析
- 仕様
- 加速電圧:0.01~30kV
倍率:50~2,000K
分解能:0.6 nm (15 kV), 1.5 nm (1 kV)
検出器:二次電子、反射電子
最大試料サイズ:6インチΦ
EDX:JEOL製EX-74710U1L4Q
電子顕微鏡、EDS、組成分析、マッピング、Scanning Electron Microscope, EDS, Composition Analysis, Mapping
卓上電子顕微鏡 [TM3000]
![卓上電子顕微鏡 [TM3000]](data/facility_item/1686044904_2.jpg)
- メーカー
- 日立ハイテク
- 型番
- TM3000
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2013
- 用途
- 観察・解析
- 仕様
- 加速電圧:5/15 kV
リタ―ディング:
倍率:15~10K
分解能:
検出器:BSE
最大試料サイズ:70mm
EDX:Bruker社製 Xflash MIN
電子顕微鏡、EDS、組成分析、マッピング、Scanning Electron Microscope, EDS, Composition Analysis, Mapping
走査型プローブ顕微鏡 [Jupiter XR]
![走査型プローブ顕微鏡 [Jupiter XR]](data/facility_item/1686044920_2.jpg)
- メーカー
- オックスフォード・インスツルメンツ
- 型番
- Jupiter XR
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2021
- 用途
- 観察・解析
- 仕様
- 測定モード:形状測定、メカニカル測定、電気測定、磁気測定、等
走査範囲:90um x 90um
ステージ可動範囲:200mm角
最大試料サイズ:8インチΦ
AFM、SPM、AMF, Atomic Force Microscope, Scanning Probe Microscope
走査型プローブ顕微鏡 [L-trace]
![走査型プローブ顕微鏡 [L-trace]](data/facility_item/1686044937_2.jpg)
- メーカー
- 日立ハイテク
- 型番
- L-trace
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- ---
- 用途
- 観察・解析
- 仕様
- 測定モード:コンタクトAFM、タッピングAFM、摩擦力顕微鏡
走査範囲:90um x 90um
最大試料サイズ:6インチΦ
AFM、SPM、AMF, Atomic Force Microscope, Scanning Probe Microscope
レーザー顕微鏡 [LEXT OLS4000]
![レーザー顕微鏡 [LEXT OLS4000]](data/facility_item/1686044983_2.jpg)
- メーカー
- オリンパス
- 型番
- LEXT OLS4000
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 観察・解析
- 仕様
- 光源:405nm半導体レーザー
分解能:XY:0.12um/Z:0.01um
観察モード:レーザー観察,白色光明視野,微分干渉観察
最大試料サイズ:100mm角
イオンスパッタ [E-1045]
![イオンスパッタ [E-1045]](data/facility_item/1681966209_4.jpg)
- メーカー
- 日立ハイテク
- 型番
- E-1045
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 観察・解析
- 仕様
- 成膜材料:Pt, C
最大試料サイズ:60mmΦ
スパッター、成膜、スパッタリング、プラチナ、カーボン、Film Deposition, Sputtering, Pre-Treatment, Platinum, Carbon, Pt,
触針式プロファイラー [Dektak XT-A]
![触針式プロファイラー [Dektak XT-A]](data/facility_item/1681966232_4.jpg)
- メーカー
- ブルカー
- 型番
- Dektak XT-A
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- 〇
- 導入年
- 2021
- 用途
- 評価・計測
- 仕様
- 分解能:1Å(6.5umレンジ)
走査距離:55mm
触圧範囲:0.03-15mg
最大試料サイズ:8インチΦ
その他:自動ステージ3Dマッピング
デクタク、段差計、マッピング、Dektak, Surface Profiler, Surface Shape Measurement, Surface Roughness Measurement, Mapping
エリプソメーター [MARY-102FM]
![エリプソメーター [MARY-102FM]](data/facility_item/1681966261_4.jpg)
- メーカー
- ファイブラボ
- 型番
- MARY-102FM
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 評価・計測
- 仕様
- 光源:632nm He-Neレーザー
ビーム径:0.8mm
入射角:50度、60度、70度
最大試料サイズ:4インチΦ
その他:自動マッピング
薄膜測定、Thin Film Measurement, Film Thickness Measurement,
分光エリプソメーター [M2000]
![分光エリプソメーター [M2000]](data/facility_item/1686045064_2.jpg)
- メーカー
- JAウーラム
- 型番
- M2000
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 評価・計測
- 仕様
- 光源:重水素ハロゲンランプ
分光範囲:250-1000nm
入射角:45度~90度
最大試料サイズ:6インチΦ
薄膜測定、Thin Film Measurement, Film Thickness Measurement, Spectroscopy
分光エリプソメーター [UNECS-2000A]
![分光エリプソメーター [UNECS-2000A]](data/facility_item/1709190771_6.jpg)
- メーカー
- アルバック
- 型番
- UNECS-2000A
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2023
- 用途
- 評価・計測
- 仕様
- 光源:ハロゲンランプ
分光範囲:530-750nm
入射角:70度
最大試料サイズ:8インチΦ
膜厚測定、屈折率測定、薄膜、マッピング、thickness, Profile, refractive index, mapping
顕微分光膜厚計 [F54-XY-200-UV]
![顕微分光膜厚計 [F54-XY-200-UV]](data/facility_item/1686045084_2.jpg)
- メーカー
- フィルメトリクス
- 型番
- F54-XY-200-UV
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2020
- 用途
- 評価・計測
- 仕様
- 光源:重水素ハロゲンランプ
波長:190-1100nm
スポット径:10 um以下
測定膜厚範囲:5nm~30um
最大試料サイズ:8インチφ
その他:自動マッピング
薄膜応力測定装置 [FLX-2000-A]
![薄膜応力測定装置 [FLX-2000-A]](data/facility_item/1686045098_2.jpg)
- メーカー
- 東朋テクノロジー
- 型番
- FLX-2000-A
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2018
- 用途
- 評価・計測
- 仕様
- 測定方式:レーザースキャン方式
測定範囲:1~4000MPa
測定再現性:1.3MPa(1σ)
試料サイズ:3,6,8インチΦ
その他:3Dマッピング機能
室温プローバー [MX-200/B]
![室温プローバー [MX-200/B]](data/facility_item/1681966323_4.jpg)
- メーカー
- ベクターセミコン
- 型番
- MX-200/B
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 評価・計測
- 仕様
- プローブ:同軸プローブ
マニピュレータ:4基
I-V測定端子:4ユニット
C-V測定端子:1ユニット
最大試料サイズ:4インチΦ
その他:試料ステージ電圧印加可
ワイヤーボンダー [7476D #1]
![ワイヤーボンダー [7476D #1]](data/facility_item/1688083015_13.jpg)
- メーカー
- ウェストボンド
- 型番
- 7476D #1
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 評価・計測
- 仕様
- ボンディング方式:超音波/熱圧着
ボンディングウェッジ:45度、90度
ワイヤー材質:金線,アルミ線
ワークホルダー温度:300度以下
最大試料サイズ:50mm角
ウェッジボンダー、Au、Al、Wedge Bonder
ワイヤーボンダー [7476D #2]
![ワイヤーボンダー [7476D #2]](data/facility_item/1686045272_2.jpg)
- メーカー
- ウェストボンド
- 型番
- 7476D #2
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 評価・計測
- 仕様
- ボンディング方式:超音波/熱圧着
ボンディングウェッジ:45度、90度
ワイヤー材質:金線,アルミ線
ワークホルダー温度:300度以下
最大試料サイズ:50mm角
ェッジボンダー、Au、Al、Wedge Bonder
ダイシングソー [DAD322]
![ダイシングソー [DAD322]](data/facility_item/1681966299_4.jpg)
- メーカー
- ディスコ
- 型番
- DAD322
- 設置場所
- 千現地区 材料信頼性実験棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- 2018
- 用途
- 切削
- 仕様
- 切削刃:ダイヤモンドブレード
切削範囲:XY:162mm以下
最大試料サイズ:6インチφ
切断、基板カット、チップ化、Substrate Cutting, Chips
ダイシングソー [DAD3220]
![ダイシングソー [DAD3220]](data/facility_item/1686045170_2.jpg)
- メーカー
- ディスコ
- 型番
- DAD3220
- 設置場所
- 並木地区 MANA棟
- 夜間運転
- ×
- 導入年
- ---
- 用途
- 切削
- 仕様
- 切削刃:ダイヤモンドブレード
切削範囲:XY:162mm以下
最大試料サイズ:6インチφ
切断、基板カット、チップ化、Substrate Cutting, Chips